haswell处理器(haswell处理器列表)

相比Haswell 第五代Broadwell英特尔处理器性能有何提升

Broadwell是继Haswell之后的下一代英特尔处理器，在制程和功耗集成显卡上有所升级提升。

1、制程升级提升

Haswell采用了22nm晶体管，而在Broadwell上晶体管的大小缩小至14nm

2、功耗性能提升

根据英特尔的说法，Broadwell相比于Haswell在功耗上降低30%左右，同时性能还有小幅提升，极低的功耗不仅带来了超长的续航时间，而且节省出来的电量可以分配给其他部分，比如高分辨率显示屏。虽然在近几年智能手机与平板电脑屏幕技术已经有了质的飞跃，但是笔记本电脑屏幕不管在软件还是硬件方面都落后很多。其中一个原因就是由于高分辨率屏幕功耗较大，进而会对设备整体功耗产生较大影响，不过Broadwell的出现或许会改变这一现状。

3、集成显卡性能提升

除了运算核心升级以外，Broadwell系列的集成显卡性能也会提升，英特尔表示Broadwell的集成显卡核心性能基本能与目前主流独立显卡匹敌。与Haswell一样，不同版本的Broadwell处理器集成显卡性能有着较大差距，有来自CPU World的消息称，Broadwell的集成显卡共有HD 5500、HD 6000和iris HD 6100三种型号以拉开差距。值得一提的是，Broadwell集成显卡仍采用Haswell架构，但是处理单元数量却增加了20%。

Haswell核显型号如何划分:GT1/2/3系列具体区别

Haswell核心显卡解析与命名规则概览

Intel Haswell架构处理器的一大亮点在于其核心显卡相较于前代产品有了显著提升。与Sandy Bridge和Ivy Bridge的不同之处在于，2013年推出的Haswell处理器首次引入了GT1、GT2和GT3三种不同的核心显卡规格，主要区别在于执行单元(EU)的数量。

Haswell核显型号的命名规则颇具创新，GT3系列定位为HD Graphics 5000，包含多个版本，可能是最高性能的，官方声称其性能可匹敌NVIDIA主流笔记本独显GeForce GT 650M。GT2系列如HD Graphics 4600，向下延伸至HD Graphics 4400和HD Graphics 4200，预计仅在频率上有所差异。至于GT1系列，可能是HD Graphics 2000或HD Graphics 3000系列，具体还需进一步了解。

性能上，GT3核心显卡定位高端，主要应用于顶级的i7处理器，接近中低端独立显卡的性能；GT2则广泛应用于Haswell的中高端产品，包括i3处理器，如酷睿i3的系列型号所示。

而GT1核心显卡主要存在于低端Haswell处理器产品中，为满足不同需求提供了多样化的选择。

对于想要了解HD4600核心显卡性能的用户，或许会对HD4600相当于什么显卡感兴趣。总的来说，Haswell处理器内置的核心显卡性能提升显著，如HD4400和HD4600，如今已能流畅运行大多数主流网络游戏。

总结：Haswell架构处理器的内核显卡革新明显，不同规格的GT系列满足了不同性能需求，从高端的接近独立显卡性能到低端的实用型，Haswell处理器的核心显卡表现值得期待。

haswell是第四代那前几代是什么

intel的酷睿I系列：

第一代是LGA1156和LGA1366针脚，Westmere架构，32nm工艺。

第二代是LGA1155针脚，SNB架构，32nm工艺。

第三代是LGA1155针脚，IVB架构，22nm工艺。

第四代是LGA1150针脚，HASWELL架构，22nm工艺。

第五代是LGA1150针脚，broadwell架构，14nm工艺。

第六代是LGA1151针脚，skylake架构，14nm工艺。

扩展资料：

Haswell特性

1、新架构，同频性能比SNB、IVB更强一点点，而且集成了完整的电压调节器；

2、新的指令集，Haswell添加了新的AVX指令集，改善AES-NI的性能；

3、核芯显卡增强，支持DX11.1、OpenCL1.2，优化3D性能，支持HDMI、DP、DVI、VGA接口标准；

4、接口改变，使用LGA1150接口，不兼容旧平台。

“Haswell”处理器采用LGA 1150接口，不兼容旧平台（又要换主板了），支持双通道DDR3 1600内存，热设计功耗分95W/65W/45W/35W四个档次；采用22纳米工艺制作，集成了完整的电压调节器，如此一来，主板的供电设计变得更加简单。

GPU方面，全新的核芯显卡将支持DX11.1与Open CL 1.2、优化了3D性能，支持HDMI、DP、DVI、VGA接口标准，可以实现三屏独立输出。

5、但是，主流平台产品的顶盖内由于沿用了IVB时开始的导热硅脂，而非SNB及之前的钎焊，导致其超频潜力非常糟糕，连之前的IVB都不如。超频后发热量也极大，在旗舰产品4770K上尤为明显。

参考资料来源：百度百科-酷睿

参考资料来源：百度百科-Haswell